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锗二极管

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锗二极管是使用锗(作为半导体)作为主要原料的半导体二极管。整流,检测为2个三极管替代(二极管),一晶体管使用电子电路中的晶体管的到来使用,几乎同时出现。最初,晶体管也阱半导体二极管,其主要原料是锗,锗稀有金属,使用锗半导体即贵的电子部件,由于弱到高温,焊接根据实施努力它需要,热失控很容易,目前从这么大的事情的原因是很难做出的能力,无论是很快,他们大多为主要原料,硅已成为被使用的东西。

但是,当锗用作半导体二极管的原料时,当正向电流约为0.1 mA时,二极管的正向压降为0.2 V,并且由于低压区域的工作特性,它适用于直接处理无线电波等应用,特别是通过研究早期矿石探测器的工作原理而进行了研究和改进的点接触类型增加了寄生电容(对于电子部件,主要是电子部件)本身的静电电容指的是,如果寄生电容是大的,不必要的成分电容器一个平行一系列通过相同连接到)功能,非常小,直到最近AM检测器混频器等但是,它经常被用在寄生电容成为问题的高频电路中。

锗二极管

近年来,替代的肖特基势垒二极管已经批量生产并投放市场,这使其活跃起来。锗本身仍被用作结合硅的最新高速晶体管,但是经典的锗二极管很有可能会从市场上消失。然而,锗二极管在透明玻璃管中包含矿石检测器的结构,即,其中细金属针与半导体晶体接触的结构,并且可以直接观察其中的许多。在制造德国电台的情况下,例如用于免费研究或个人实验,它仍然是重要的电子组件。

另外,电吉他失真型效果优选具有正向特性不同于硅二极管的失真效果,并且它们仍在许多产品中使用。

锗二极管结构

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经典半导体二极管的结构大致分为以下两个。

  • P型半导体N型半导体之间的结型A型结。许多通用产品都具有这种结构。
  • 点接触型-与N型半导体表面接触的诸如钨之类的细金属针。

由于锗二极管的特性和应用,它们经常使用点接触结构。温度超过80 °C时,某些内部机制会中断,因此在焊接时必须小心。

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