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原子层蚀刻

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原子层蚀刻:(原子层蚀刻原子层蚀刻,简写ALE或ALET),晶片被重复仅经化学修饰的部分的**外表面的原子层上仅作用蚀刻去除交替步骤的化学改性步骤这是半导体制造工艺中用于以原子层为单位进行蚀刻的技术。请注意,有时将ALEt用作缩写,以避免混淆,因为ALD发展的**初名称是Atomic Layer Epitaxy和ALE的缩写。

在硅晶片上进行蚀刻的标准示例中,与氯的反应和利用氩离子的蚀刻交替进行。

原子层蚀刻

尽管这是比反应性离子蚀刻具有更高可控性的过程,但是在考虑批量生产时仍存在产量问题。需要精确的气体处理,并且自2014年起,目前正在尝试以每秒1原子层的蚀刻速率提高速度

成膜过程中有原子层沉积(ALD)作为相应的过程。ALD是已基本上更成熟的方法,2007年的英特尔具有介质的高k被用于层沉积,在芬兰在薄膜电致发光器件1985的制造中使用

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