半绝缘衬底，砷化镓和磷化铟，诸如化合物半导体中，杂质不含有（掺杂）衬底在高要说出电阻（比电阻：几个MΩ/□）。化合物半导体之所以对高频器件的制造有利的原因不仅在于它们具有高的电子迁移率，而且在于基板具有如此高的电阻，并且可以抑制泄漏电流和接地电容。

基板半绝缘的原因是由于基板中的深度较高。在砷化镓的情况下，从导带到0.7eV附近有一个称为EL2的深能级，会引起高电阻。这种深层次的原因，但不能完全知道，最有影响力的理论，弥补原子的反位缺陷是。反位点是一种现象，在这种现象中，化合物半导体中使用的某些组成原子不在晶体中的原始位置，而是在其他元素应进入的位置（例如，砷化镓）。镓原子进入砷原子应进入的位置的现象。