纳米转移印刷是纳米有望作为细金属丝制造技术订单的纳米结构的施工方法的一种方法。

微接触印刷，纳米压印，浸涂笔纳米光刻与这样沿着软光刻，以形成由含有金属在一个油墨的转印微细结构。

据说可以在不使用常规昂贵的曝光设备的情况下在硅晶片上形成精细结构。

2002年，朗讯的贝尔实验室是由一组的岳麟卢的发展。由X聚合物材料输送型材料砷化镓用于硬质材料如砷化镓（GaAs） 。在实验中，线宽为500 nm的线型和直径为130 nm的点型被原型化，并成功用于有机晶体管和互补反相器电路的布线。

• 像微接触印刷一样，它有望成为自底向上纳米技术的基础技术。
• 考虑用于创建超材料。

• 可以用相对简单的装置来产生由常规光刻法产生的相同比例的精细图案。
• 它适用于有机半导体材料的微细加工，因为可以在相对较低的温度条件下创建电极和金属布线不可缺少的电极和金属布线图案，而无需使用化学改性或加热。
• 生产率高，因为可以一次转移大面积区域。

• 尽管在转印时对准的精度很重要，但是必须考虑到柔性树脂转印模具的变形，并且难度很高。
• 由于在传输过程中接触传输目标，可能会由于传输类型污染而导致污染。