N型和P型半导体是具有PNP或NPN的结结构并且具有电流放大和切换功能的三端半导体元件。与单极性晶体管（如稍后出现的场效应晶体管（FET））不同，它被称为双极性因为它同时具有正和负载流子。由于首先是广泛使用的晶体管，所以通常将晶体管简称为双极型晶体管。

集电极电流是小基极电流的几十到几百倍。使用此属性执行放大操作。即使集电极电压发生波动，集电极电流也几乎保持恒定（恒定电流特性）。由于基极和发射极之间的结构与二极管相同，因此必须使基极和发射极之间的电压高于阈值，以使基极电流流动。此阈值称为结饱和电压，对于硅晶体管，该阈值在室温下的值为0.6-0.7伏。另外，阈值通常用于切换操作。

由于所有操作都处于电流模式（相对于输入电流获得了输出电流），因此整个操作过程中消耗的电量增加了。为此，当处理大功率时，与电压模式（获得相对于输入电压的输出电流或输出电压）的场效应器件（例如真空管或FET）相比是不利的。至于小信号的放大，除非获得足以使晶体管工作的电流，否则不能执行放大功能。

由于电流流过二极管结的结构所特有的少数载流子积累效应，开关元件固有地具有工作速度极限。由于只需要一个电压（普通硅晶体管的电压为0.6-0.7V），因此可以说在电压受限的应用中易于处理。

除了这种极端的高功率和高频率，因为很可低成本提供高放大倍数和优秀的生产适应性广泛应用于消费和工业，航空航天和国防的各个领域的电子设备。

除了电极端子以外的金属部分基本上都连接到金属封装的中型和大型晶体管的集电极（用于某些高频功率放大的发射极）上。因此，在安装散热器/散热器板时，可能需要使它们绝缘。

取决于应用，可以使用公共发射极电路，公共基极电路，公共集电极电路等。通常，使用既具有良好的电压放大率又具有良好的电流放大率的共发射极电路。有关详细信息，请参阅放大器电路部分。取决于连接方法，振荡电路有几种类型。