是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期,松下电器英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。 芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极,目的是为了减少漏电。至2007年,IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。 内容由匿名网友提供,本内容不代表vibaike.com立场,内容投诉举报请联系vibaike.com客服。如若转载,请注明出处:https://ispeak.vibaike.com/5589 发表评论 取消回复请登录后评论...登录后才能评论