William Shockley
出生 (1910-02-13)1910年2月13日

伦敦, 英格兰, 英国逝世 1989年8月12日(1989-08-12)（79岁）

史丹福, 加利福尼亚州, 美国国籍
美国母校 加州理工学院
麻省理工学院知名于 点接触晶体管（英语：Point-contact transistor）
双极性晶体管
肖克利二极管方程式奖项
诺贝尔物理奖 (1956)
康斯托克物理奖（英语：Comstock Prize in Physics） (1953)
IEEE荣誉奖章 (1980) 科学生涯机构 贝尔实验室
肖克利半导体
史丹佛大学博士导师 约翰·斯莱特（英语：John C. Slater）

威廉·肖克利（英语：William Shockley，1910年2月13日－1989年8月12日），英国出生的美国物理学家和发明家，一生共获得90多项专利。

他和约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明了晶体管。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。20世纪50-60年代，他在推动晶体管商业化的同时，造就了加利福尼亚州今天电子工业密布的硅谷地区。

肖克利在英国伦敦出生，父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位，其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作，曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。

1955年，他在加州山景城创立了“肖克利实验室股份有限公司”，聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合，八名主要员工（八叛逆）于1957年集体八仙过海成立了仙童半导体公司，后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下，两次被转卖后于1968年永久关闭。

肖克利于1963年开始任斯坦福大学教授。他在晚年认为各种族的遗传水准有高有低，并支持鼓动智力低下者自愿绝育，因而在科学界和媒体界引起了争议。他于1989年因前列腺癌去世。