齐纳二极管在电路图中的符号
齐纳二极管的电流电压关系图，在此显示击穿电压为17伏特。在此须注意的是，正向偏置（正方向）与反向偏置（负方向）电压数值的比例大小。通常可承受的正向偏置为0.65～0.7伏特；当电流约为1毫安培时，电压为约为0.65伏特。

齐纳二极管（英语：Zener diode），或译为“稽纳二极管”，是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术组件，因此又称为“稳压管”。

齐纳二极管的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳（英语：Clarence Zener），他首先阐述了绝缘体的电气崩溃特性，后来贝尔实验室运用这项发现，开发出此种二极管，并以齐纳作为命名以兹X。

二极管和PN结

一般二极管正向导通时电压可维持在0.7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极管，使用上不是很方便。但观察二极管反向偏置很大时，所发生的崩溃现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性发明了这种特殊的二极管——齐纳二极管，特别用在反向偏置的崩溃范围。通常齐纳二极管掺杂浓度为 1 : 10 5 {displaystyle 1:10^{5}}。

与一般二极管有何异同

齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。

齐纳二极管可以简化电路，如上所说，如果需要多颗二极管串联的电路，则可以用齐纳二极管来简化电路。齐纳二极管的这些特性，在电压比较器、直流稳压电源等方面有广泛的应用。