压阻效应，半导体和金属机械到应变使得将电阻的有效变化。由于加入机械负载的变化，在金属元件的电阻是1856年在开尔文被发现首次通过。单晶硅时要被选择作为在模拟-数字电路，设计所用的材料中的一种1954由CS史密斯硅和锗的X次发现大的压阻效应。从那时起，它已被广泛用作压力传感器和应变传感器。

通常，金属的电阻变化主要是由于施加机械力引起的几何变化。但是，尽管压阻效应很小，但通常不能忽略。如果不能忽略它，则可以使用从欧姆定律导出的以下简单电阻方程式进行计算。

一些金属表现出的压阻特性远大于由于几何因素引起的电阻变化。例如，在铂合金的情况下，压电电阻率是原来的两倍，并且与几何效应一起，与仅几何效应的情况相比，应变仪（应变测量仪器）的灵敏度可以提高到三倍或更多。纯镍具有约13倍的压阻容量，完全可以遮盖几何上引起的电阻变化。

半导体的压阻效应可能比几何效应大几个数量级，并且在诸如锗，多晶硅，非晶硅，碳化硅和单晶硅等材料中发现。这使得可以制造具有非常高灵敏度的半导体应变仪。在精确测量中，半导体应变仪通常比金属应变仪对环境条件（尤其是温度）更敏感，并且难以操作。