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动态存储器 编辑词条词条保护

词条创建者 随风

动态存储器简介

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动态存储器是在指定功能或应用软件之间共享的存储器,如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间,此时将无法为其他应用软件分配存储器空间,例如,日历,短信息和电话簿(或通讯录)可能会共享移动设备中的动态存储器,一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种,差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据则不需要刷新过程,在上电期间,数据不会丢失。

动态存储器

动态存储器原理简介

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动态RAM的工作原理 和静态RAM一样,动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。 3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读选择线和写选择线也是分开的。

动态存储器

写操作时

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写选择线为”1″,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果。

读操作时

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先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有”1″,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为”0″,正好和原存信息相反;若原存信息为”0″,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为”1″。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往 数据总线。

动态存储器相关产品

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同步

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1:双倍数据速率2 存储器 (DDR2)

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒,甚至 2.5纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ,因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来,与最初的双倍数据速率存储器相比,他们具有较长的等待时间 (Latency)。不过,双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下,他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。

相关产品:

尔必达 (Elpida):

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

海力士 (Hynix):

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

美光 (Micron) :

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

茂德科技 (ProMOS):

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

三星 (Samsung) :

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA)

2:双倍数据速率1 存储器 (DDR1)

第一代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的传输速率,存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4,8,16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的最大区别:双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。

相关产品:

尔必达 (Elpida):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特,x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)

森富 (Eorex):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特, x16 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP)

晶豪 (ESMT):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128兆比特 – 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

钰创 (Etron):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 64 兆比特 – 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA)

海力士 (Hynix):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)

蕊成 (ISSI):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

美光 (Micron) :

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

茂德科技 (Promos):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512兆比特,薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA), x8 / x16 / x32 比特 (bit),工业级温度。

奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)

三星 (Samsung) :

双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)

3:同步动态存储器 (SDRAM)

同步动态存储器(简称为SDRAMs)以高达 200 MHz的时钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit),在 4/8/16/32 比特 (bit) 总线带宽下可用。典型工作电压: 3.3伏。封装: BGA(球形网格阵列)或TSOP(薄型小尺寸封装)。

相关产品:

A-Device:

同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 128 兆比特,x16,薄型小尺寸封装 (TSOP)

联笙电子 (Amic):

同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 64 兆比特,x16,薄型小尺寸封装 (TSOP)

尔必达 (Elpida):

同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特,x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP)

森富 (Eorex):

同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP)

晶豪 (ESMT):

同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

钰创 (Etron):

同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

海力士 (Hynix):

同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 256 兆比特,x4 / x 8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP)

蕊成 (ISSI):

同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

美光 (Micron) :

同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 512兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),工业级温度。

茂德科技 (Promos):

同步动态存储器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256兆比特,x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA), 工业级温度。

奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):

同步动态存储器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256 兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)

三星 (Samsung) :

同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 512兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) ,工业级温度

4:移动双倍数据速率 (Mobile DDR)

移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 存储器的存储容量范围从 64 兆比特到1 千兆比特。总线带宽:1.8V 工作电压下x16 / x32 比特 (bit)。应用领域:所有移动设备,例如扫描仪,个人数码助理 (PDA)、移动数码助理 (MDA)、便携式媒体播放器 (PMP) 、移动电视、数码相机、 MP3 播放器…

相关产品:

Fidelix:

移动双倍数据速率 (Mobile DDR),即将上市!

海力士 (Hynix):

移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V,扩展级温度。

美光 (Micron):

移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V,扩展级温度。

三星 (Samsung):

移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V,扩展级温度。

奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):

移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V,扩展级温度。

5:移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM)

存储组件运行和待机电流非常低而容量却很大,。移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 可与传统的同步动态存储器 (SDRAM) 兼容,非常适用于 移动通讯设备。工作电压:3.3伏,2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列 (BGA) 进行封装,接触区域 在其下面。

相关产品:

联笙电子 (Amic):

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特, x16 比特 (bit),薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),1.8V

森富 (Eorex):

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),3.3V/1.8V

Fidelix:

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 32 兆比特 – 256 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),3.3V/1.8V

海力士 (Hynix) :

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 256 兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V

美光 (Micron):

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 64兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),1.8V

奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

三星 (Samsung):

移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形网格阵列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

异步

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扩展数据输出 (EDO) /快速页面模式 (FPM)

扩展数据输出动态存储器/快速页面模式动态存储器 (EDO / FPM DRAM)

扩展数据输出动态存储器 (EDO) 和快速页面模式动态存储器 (FPM) 在价值上并没有什么不同,但这无关于技术。它们的存储容量同样都从1 兆比特到 64 兆比特,总线带宽 x4 / x8 / x16 比特 (bit)。我们可以提供 3.3V 和5V TSOP (薄型小型封装) 和SOJ (小型J形引线) 封装。异步动态存储器不再大量生产,因此,价格较其它动态存储器要高。

产品类型

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联笙电子 (Amic)、晶豪 (ESMT)、蕊成 (ISSI):

扩展数据输出动态存储器 4兆比特 – 16 兆比特,x16 比特 (bit),小型外线式J形引线 (SOJ) /薄型小尺寸封装 (TSOP), 3.3V。

优点缺点

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经验证,动态存储器是采用超大容量的存储技术,但是,其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比,耗电量相对较高。优点:跟其它类型的存储器相比,每兆比特的价格为最低。

应用领域

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所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等。

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