集成电路按其集成程度可分为小规模集成电路、中等规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、超大规模集成电路和超大规模集成电路。

小规模集成电路

小型集成电路出现于1960年，由10-100个元件或1-10个逻辑门在单个硅片上组成。例如逻辑门和触发器。在使用小型数字集成电路(SSI)设计组合逻辑电路时，采用门电路作为电路的基本单元。因此，逻辑功能的简化应尽量减少所使用的门电路的数量和门输入的数量。

中规模集成电路（Medium Scale Integration：MSI）

它出现在1966年，在硅片上包含100-1000个元件或10-100个逻辑门。例如，集成定时器、寄存器、解码器等。
如果使用中规模集成电路(MSI)设计组合逻辑电路，则应考虑所使用集成电路的最小数量和种类，以及集成电路之间的最小连接数。这通常需要将逻辑函数表达式转换为选择电路所需的表达式，有时直接使用标准范式。
虽然MSI中规模组合逻辑器件的功能比小规模集成电路lsi更强，但其专业性不如大规模集成电路lsi。这些设备产品虽然品种繁多，但并不能完全满足用户的要求。这就需要层叠多个芯片来扩展其功能，标准的中等规模继承元件也可以用来实现其他组合逻辑电路的设计。在使用中规模集成元件进行组合逻辑电路设计时，方法是选择合适的MSI，将实际问题的逻辑表达式转化为相应的MSI表达式。与用门电路设计的组合逻辑电路相比，用MSI设计的组合逻辑电路不仅体积更小、重量更轻，而且还提高了运行的可靠性。
中尺度数据的级联选择可以扩展数据选择路径的数量，其功能扩展不仅可以用于组合逻辑电路，也可以用于顺序逻辑电路。在组合逻辑电路中主要有以下几种应用:
(1)级联扩展，增加所选路径和位数，实现多比特到多比特的数据传输;
(2)开发逻辑函数发生器，实现任意组合逻辑电路的设计。

大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits：LSI)

它出现于1970年，在硅片上包含103-105个元件或100-10000个逻辑门。例如:半导体存储器，某些计算机外设。628512628128 (128K)最大容量1G。

超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)

在一块芯片上集成了10万个以上元件或1万个以上门的集成电路称为超大规模集成电路。超大规模集成电路在20世纪70年代后期成功开发，主要用于制造存储器和微处理器。64k位随机存取存储器是第一代超大规模集成电路，包含约150000个元件，线宽为3微米。
超大规模集成电路集成度达到600万个晶体管，线宽达到0.3微米。采用超大规模集成电路制造的电子器件具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等特点。利用超大规模集成电路技术，可以将一个电子分系统甚至整个电子系统集成到一块芯片上，完成信息采集、处理、存储等各种功能。例如，整个386微处理器电路可以集成在一块芯片上，集成度为250万个晶体管。超大规模集成电路的研制成功是微电子技术的一次飞跃，极大地推动了电子技术的进步，带动了军民技术的发展。超大规模集成电路已成为衡量一个国家科技和工业发展水平的重要标志，也是世界主要工业国家特别是美国和日本竞争最激烈的领域。

特大规模集成电路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)

1993年，随着集成了1000万个晶体管的16M FLASH和256M DRAM的成功开发，我们进入了超大型集成(ULSI)时代。超大规模集成电路的集成元件数量在107 ~ 109个之间。
ULSI电路集成度的快速增长主要取决于两个因素:一是完美的晶体生长技术已经达到了很高的水平;二是制造设备的不断改进，加工精度、自动化水平、可靠性的提高使得器件尺寸进入深亚微米级领域。硅单晶的制备工艺可以使晶体径向参数均匀，减少体内微缺陷的数量，尺寸在0.1~0.3um的缺陷平均每平方厘米可小于0.05个。我对电路加工过程中产生缺陷的理论模型有了比较完整的了解，从而形成了一套完整的完美晶体的加工技术。电路生产中使用的硅片直径不断增加，生产效率显著提高，硅片直径尺寸达到12英寸。微缺陷的减少提高了芯片的良率，每平方厘米0.02个缺陷的硅片可以实现256MB DRAM的良率80-90%。
千兆规模集成(GSI)
1994年，由于成功开发出集成1亿个元件的1G DRAM，进入了大规模集成电路的千兆级集成(GSI)时代。大规模集成电路的集成元件数量超过109个。