威廉姆斯管 

（重定向自威廉管） 计算机存储器类型 易失性存储器（内存） RAM DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM 发展中 可控硅随机存储器（英语：T-RAM） Z-RAM 历史上 威廉姆斯管（1946–47年） 延迟线存储器（1947年） 选数管（1953年） 冷阴极计数管 非易失性存储器（外存） ROM Mask ROM（英语：Mask ROM） PROM EPROM EEPROM NVRAM 闪存 固态存储 早期非易失性存储器 nvSRAM（英语：nvSRAM） FeRAM MRAM PRAM 机械式 磁带 硬盘 光盘驱动器 发展中 3D XPoint CBRAM SONOS RRAM 赛道内存 NRAM Millipede FJG RAM（英语：FJG RAM） 历史上 纸张数据存储（英语：Paper data storage）（1725年） 磁鼓存储器（1932年） 磁芯内存（1949年） 磁镀线存储器（1957年） Core rope memory（英语：Core rope memory）（1960年代） 薄膜存储器（英语：Thin-film memory）（1962年） 磁扭线存储器（~1968年） 磁泡存储器（~1970年） 查 论 编

威廉姆斯管（英语：Williams tube），全称威廉姆斯－基尔伯恩管（英语：Williams-Kilburn tube），一种由阴极射线管(CRT)构成的储存装置。名称源自开发者弗雷迪·威廉姆斯（Freddie Williams）与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn）。

电子在撞击阴极射线管的荧光面时发光。作为伴生现象，撞击部位周围的电荷将发生细微变化。阴极射线管可以用作储存装置，正是通过测定这一变化而实现的。由于电荷会迅速消失，运行时必须反复进行电子撞击。