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(重定向自威廉管) 计算机存储器类型 易失性存储器(内存) RAM DRAM(例如DDR SDRAM) SRAM 发展中 可控硅随机存储器(英语:T-RAM) Z-RAM 历史上 威廉姆斯管(1946–47年) 延迟线存储器(1947年) 选数管(1953年) 冷阴极计数管 非易失性存储器(外存) ROM Mask ROM(英语:Mask ROM) PROM EPROM EEPROM NVRAM 闪存 固态存储 早期非易失性存储器 nvSRAM(英语:nvSRAM) FeRAM MRAM PRAM 机械式 磁带 硬盘 光盘驱动器 发展中 3D XPoint CBRAM SONOS RRAM 赛道内存 NRAM Millipede FJG RAM(英语:FJG RAM) 历史上 纸张数据存储(英语:Paper data storage)(1725年) 磁鼓存储器(1932年) 磁芯内存(1949年) 磁镀线存储器(1957年) Core rope memory(英语:Core rope memory)(1960年代) 薄膜存储器(英语:Thin-film memory)(1962年) 磁扭线存储器(~1968年) 磁泡存储器(~1970年) 查 论 编

威廉姆斯管(英语:Williams tube),全称威廉姆斯-基尔伯恩管(英语:Williams-Kilburn tube),一种由阴极射线管(CRT)构成的储存装置。名称源自开发者弗雷迪·威廉姆斯(Freddie Williams)与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn)。

电子在撞击阴极射线管的荧光面时发光。作为伴生现象,撞击部位周围的电荷将发生细微变化。阴极射线管可以用作储存装置,正是通过测定这一变化而实现的。由于电荷会迅速消失,运行时必须反复进行电子撞击。

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